岗位 | 专任副研究员1人 |
岗位 职责 及 招聘条件 | 岗位职责： 1.FinFET及GAA器件的设计及工艺整合 2.SiGe材料外延工艺开发 3.面向先进工艺的DTCO技术研究 招聘条件： 1.政治立场坚定，热爱祖国，拥护党的路线、方针、政策，品行端正，遵纪守法，身心健康； 2.具有电子、材料、物理等相关专业背景，年龄一般为40周岁以下，博士学位； 3.具有副高级专业技术职务任职资格或海外人员达到相应水平;或任务特需的，且具有中级专业技术职务任职资格（获聘后按中级专业技术职务任职资格认定），具备3年以上半导体器件TCAD设计和工艺制备经验； 4.具有很强的学习自驱力和团队合作意识； 5.具有良好的中英文写作和沟通能力。 |
范围 | 校内外 |
岗位 待遇 | 签订劳动合同，待遇面议。 |
应聘 程序 | 应聘人员需提交个人简历并提供学历、学位、职称等证书的复印件，通过电子邮件发送至qyx@fudan.edu.cn。材料审核通过者，将通知参加面试。 |
联系 方式 | qyx@fudan.edu.cn |
截止日期 | 截止时间：2022年10月1日 |
